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规格书 |
MMDF3N04HD |
文档 |
Multiple Devices 14/Apr/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 3.4A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 80 mOhm @ 3.4A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 28nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 900pF @ 32V |
功率 - 最大 | 1.39W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SOICN |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
Confezione fornitore | SOIC N |
Montaggio | Surface Mount |
Resistenza di sorgente di drain massima | 80@10V |
TIPO二运河 | N |
每个芯片NUMERO二培元 | 2 |
包装宽度 | 4(Max) |
Modalità canale | Enhancement |
PCB | 8 |
Massima tensione di drain alla fonte | 40 |
Tensione di fonte gate massima | ±20 |
符合UE | Compliant |
Categoria | Power MOSFET |
Dissipazione massima della potenza | 2000 |
Corrente di drain continua massima | 3.4 |
诺姆标准苏拉confezione | SOIC |
Temperatura d'esercizio minima | -55 |
经conduttore | Gull-wing |
NUMERO DEI针 | 8 |
Confezione | Tape and Reel |
包装长度 | 5(Max) |
包装高度 | 1.5(Max) |
Massima temperatura d'esercizio | 150 |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3.4A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 80 mOhm @ 3.4A, 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 1.39W |
标准包装 | 2,500 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 900pF @ 32V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 28nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | MMDF3N04HDR2GOSCT |
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